3D XPoint, la nuova memoria di Intel e Micron per (anche) i Big Data

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Più capace e più veloce della RAM e dello storage flash convenzionali, la memoria 3D XPoint promette di rivoluzionare molti campi applicativi

Intel non lascia spazio alle mezze misure: il nuovo tipo di memoria 3D XPoint che ha inventato con Micron Technology “ha il potenziale di rivoluzionare qualsiasi dispositivo, applicazione o servizio che tragga vantaggio da un accesso veloce a grandi quantità di dati“. 3D Xpoint, sottolinea poi Intel, è il primo nuovo tipo di memoria inventato dal 1989, quando nacquero le memorie flash NAND. I suoi campi applicativi ideali sono quelli dei sistemi analitici, che devono elaborare in tempi rapidi quantità di informazioni nell’ordine dei terabyte.

La nuova tecnologia di memorizzazione è mille volte più veloce di quelle attuali ed è dieci volte più densa della memoria convenzionale. È un tipo di memoria non volatile e il suo utilizzo più ovvio è nel mondo dello storage, ma Intel e Micron sottolineano che la sua velocità nell’accesso ai dati è tale da permettere anche di usare 3D Xpoint per la memoria di sistema, quindi la distinzione tra memoria RAM e storage in locale perde di significato.

Le celle
Una schematizzazione di 3D XPoint: le celle di memoria (gialle e marroni) sono connesse da conduttori perpendicolari fra loro

Strutturalmente le memorie 3D Xpoint sono costruite, nella versione attuale, a partire da matrici tridimensionali (Xpoint sta infatti per “cross-point”) in cui 128 miliardi di celle di memoria sono suddivise in due strati sovrapposti e sono connesse da conduttori microscopici perpendicolari fra loro. Ogni cella conserva un bit di informazione e quindi le memorie 3D XPoint conservano 128 Gigabit di dati. In futuro si raggiungeranno capacità maggiori incrementando il numero degli strati di celle o grazie a tecniche più evolute di microlitografia, che consentiranno di aumentare la capacità dei singoli strati.

Le memorie 3D XPoint non usano transistor per accedere alle singole celle. Per questo hanno – rispetto alle memorie convenzionali – un funzionamento più veloce in lettura e scrittura e quindi un accesso alla memoria più rapido da parte delle applicazioni.

Due wafer con memorie 3D XPoint
Due wafer con memorie 3D XPoint

Intel e Micron testeranno le memorie 3D XPoint con alcuni loro clienti nel corso del 2015, mentre i prodotti commerciali veri e propri sono attesi per il prossimo anno. Per ora le unità con memorie 3D XPoint useranno PCI Express come bus di connettività perché è il più veloce disponibile nel collegamento alle periferiche, ma la banda potenziale delle nuove memorie è superiore e richiederà in futuro una nuova architettura delle schede madri o dei bus di connettività.

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Autore: Silicon
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