HP e SanDisk insieme per un nuovo tipo di memorie da Big Data

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HP e SanDisk collaboreranno allo sviluppo di nuove memorie per le applicazioni che devono gestire grandi quantità di dati, come i database in-memory

SanDisk e HP hanno avviato una collaborazione tecnologica a lungo termine per sviluppare un nuovo tipo di memorie della categoria cosiddetta Storage Class Memory (SCM). Si tratta, in sintesi, di un tipo di memoria che rappresenta una evoluzione di quella usata nelle attuali unità SSD per avvicinarne le prestazioni alle memorie DRAM. Per certi versi, sottolinea SanDisk, le memorie che intende sviluppare con HP saranno anche migliori delle DRAM, nello specifico si indica che la nuova tecnologia “ci si aspetta offra miglioramenti significativi in costo, potenza, densità e persistenza rispetto alle tecnologie DRAM”.

La collaborazione SanDisk-HP è incentrata sul tema dei memristor, elementi circuitali passivi teorizzati negli anni Settanta e realizzati concretamente per la prima volta nel 2008 proprio da HP. In teoria i memristor potrebbero sostituire i transistor nella realizzazione di memorie allo stato solido perché offrono tra l’altro una maggiore densità.

Il futuro sviluppo dei memristor secondo HP
Il futuro sviluppo dei memristor secondo HP

HP ha realizzato alcuni prototipi di memoria basata su memristor che è arrivata a 100 GB per centimetro quadrato, con una velocità di accesso però ancora distante da quella delle DRAM. Le competenze di HP saranno combinate con quelle di SanDisk in campo ReRAM: le ReRAM (o anche RRAM, da Resistive Random-Access Memory) sono memorie basate anch’esse sul concetto di memristor.

Il campo della Storage Class Memory è particolarmente interessante per chi si occupa di memorie e storage. Rappresenta il tentativo di fondere insieme le velocità della DRAM con lo spazio garantito dalle memorie flash delle unità SSD, questo per andare incontro alle esigenze di un mercato altrettanto dinamico come quello delle analytics in tempo reale sui Big Data che spingono sempre più verso l’utilizzo dei database in-memory.

Due wafer con memorie 3D XPoint
Due wafer con memorie 3D XPoint sviluppate da Intel e Micron

Non è un caso che l’iniziativa di SanDisk e HP sembri, anche nei termini usati dalle due aziende per descriverla, molto simile a quella di Intel e Micron legata alle memorie 3D XPoint. L’obiettivo è lo stesso e simili sono gli approcci per conseguirlo, con però l’importante differenza che SanDisk e HP hanno iniziato ora il loro cammino, mentre Intel e Micron dovrebbero concretizzare il loro lavoro già l’anno prossimo.

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Autore: Silicon
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